| 型号：MX25L4006EPI-12G | 类别：存储器 | 制造商：Macronix |
| 封装：8-DIP（0.300"，7.62mm） | 描述：IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP |
| 系列 | MX25xxx05/06 |
| 制造商 | Macronix |
| 格式_存储器 | 闪存 |
| 存储器类型 | 闪存 - 或非 |
| 存储容量 | 4M（4M x 1，2M x 2） |
| 速度 | 86MHz |
| 接口 | SPI 串行 |
| 电压_电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷171-4729-0036（微信同号） |
| 深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
| 深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
| 深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道） |
| 深圳市芯宇恒科技有限公司 | 袁先生0755-85298085 |
| 上海熠富电子科技有限公司 | 销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 中科航芯（深圳）科技有限公司 | 李18927479189 |
MX25L4006EPI-12G相关型号
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调制解调器
Multi-Tech Systems Inc
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V.34 DATA/FAX SOCKET MODEM
- MCR03EZPJ274
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 270K OHM 1/10W 5% 0603
- MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B
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Micron Technology Inc
100-TBGA
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RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
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径向，Can - SMD
CAP ALUM 2200UF 16V 20% SMD
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芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 2.05K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
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Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 512MB 244-DIMM
- MCR03EZPJ274
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 270K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08AMCBBH2-12:B
存储器
Micron Technology Inc
100-TBGA
IC FLASH NAND 64GB 100TBGA
- HF365/64SF
扁平带
3M
CABLE 64COND RIBBON LT GRY 25FT
- MX25L3206EZNI-12G
存储器
Macronix
8-WDFN 裸露焊盘
IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8WSON
- OMI-SS-205LM,500
功率，高于 2 安
TE Connectivity
3-SIP
RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
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电容器
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径向，Can - SMD
CAP ALUM 150UF 25V 20% SMD
- MT5VDDT1672HG-265F3
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200-SODIMM
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Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 20.5K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
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芯片电阻 - 表面安装
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0603（1608 公制）
RES 2.2 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F64G08CECCBH1-12:C
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100-VBGA
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功率，高于 2 安
TE Connectivity
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RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V
- MVA25VE332MM22TR
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径向，Can - SMD
CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD
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Micron Technology Inc
200-SODIMM
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- MCR18EZHF2053
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Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ2R4
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Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
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铁氧体磁珠和芯片
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1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- OMNI1500XLNAFTA
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- MVA35VE102ML17TR
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径向，Can - SMD
CAP ALUM 1000UF 35V 20% SMD
- MT5VDDT1672HY-335F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 128MB 200-SODIMM
- MCR18EZHF20R5
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 20.5 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- MCR03EZPJ304
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
0603（1608 公制）
RES 300K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- MT29F8G08ABABAWP:B
存储器
Micron Technology Inc
48-TFSOP（0.724＂，18.40mm 宽）
IC FLASH NAND 8GB 48TSOP
- HF50ACB321611-T
铁氧体磁珠和芯片
TDK Corporation
1206（3216 公制）
FERRITE CHIP 31 OHM 500MA 1206
- MX25L6406EMI-12G
存储器
Macronix
16-SOIC（0.295＂，7.50mm 宽）
IC FLASH SER 64MB 86MHZ 16SOP
- MVA50VC10RME55TP
电容器
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径向，Can - SMD
CAP ALUM 10UF 50V 20% SMD
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184-DIMM
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- MCR18EZHF2100
芯片电阻 - 表面安装
Rohm Semiconductor
1206（3216 公制）
RES 210 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
